In Puls- und HIPIMS-Plasmas ist der Ionisationsgrad ein entscheidender Faktor für die Dichte und Härte der Schicht, während die Stöchiometrie der Schicht durch Mischung von Metallteilchen zu Reaktivgasteilchen bestimmt ist. Eine Änderung einer dieser Parameter bewirkt auch immer eine Änderung des anderen Parameters. Um beide Parameter – Ionisationsgrad und Stöchiometrie – gleichzeitig zu regeln, müssen unabhängige Mess- und Regelmethoden kombiniert werden.
Der neue Puls und HIPIMS Sensor des EMICON SA Systems nimmt die Spannungs- und Stromkurven des Pulses auf und kombiniert die Auswertung der elektrischen Daten mit den Daten aus dem spektroskopischen Plasmamonitoring in einem einzigen System. Die verschiedenen Sensordaten werden in einem gemeinsamen Algorithmus ausgewertet und damit kann eine zuverlässige und stabile Regelung beider Parameter realisiert werden.
Eine unabhängige Regelung von Ionisationsgrad und Reaktivgasfluss ist jetzt in reaktiven Puls- und HIPIMS-Prozessen möglich und öffnet die Tür zu vielen neuen Anwendungen in F&E und Industrie.
Weitere Informationen finden Sie im PLASUS EMICON SA Pulse & HIPIMS Module Flyer und auf der EMICON SA System Seite.